Рыков Артём

Рыков Артём Владимирович

Должность

  • аспирант кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета ННГУ (специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах).
  • инженер Лаборатории эпитаксиальной технологии НИФТИ ННГУ.

Научный руководитель (консультант)

  • Дорохин Михаил Владимирович, д.ф.-м.н., заведующий Лабораторией спиновой и оптической электроники НИФТИ ННГУ, доцент кафедры физического материаловедения ННГУ.

Научные интересы

  • МОС-гидридная эпитаксия;
  • оптоэлектроника, спинтроника;
  • гибридные A3B5/Si приборы.

Награды

  • диплом победителя Конкурса инновационных бизнес идей студентов и аспирантов ННГУ «ИнноБизнес» 2015 г.;
  • победитель конкурса Специальных стипендий ННГУ им. Н.И. Лобачевского «Научная смена», для магистрантов и аспирантов в 2016 г.;
  • двукратный победитель конкурса на соискание именной стипендии имени академика Г.А. Разуваева в 2016 и 2017 гг.;
  • победитель конкурса 2016 г. "Участник молодежного научно-инновационного конкурса" (УМНИК - 2016).

Публикации

  1. А.В. Рыков, М.В. Дорохин, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов. Циркулярная поляризация электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе GaAs<Mn>. Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, 2014, 1(2), с.94-99
  2. М.В. Дорохин, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, А.В. Здоровейщев, А.В. Рыков, Б.Н. Звонков. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2014, 5, с. 28-34
  3. А. Рыков, М.В. Дорохин, Е.И. Малышева, П.Б. Дёмина, О.В. Вихрова, А.В. Здоровейщев. Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с дельта-слоем Mn. Физика и техника полупроводников, 2016, 50(1), с.3-8
  4. A V Rykov, M V Dorokhin, P B Demina, A V Zdoroveyshchev, M V Ved’. Temperature stabilization of spin-LEDs with CoPt injector. Journal of Physics: Conf. Series 816 012034 (2017)
  5. В.Я. Алешкин, Н.В. Байдусь, А.А. Дубинов, З.Ф. Красильник, С.М. Некоркин, А.В. Новиков, А.В. Рыков, Д.В. Юрасов, А.Н. Яблонский. Стимулированное излучение лазерных структур //, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001). Физика и техника полупроводников, 2017, 51(5), с.695-698
  6. N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.S. Polubavkina, M.V. Maximov, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, Yu.M. Zadiranov, A.A. Lipovskii, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, D.V. Yurasov, A.E. Zhukov. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer. Optics Express, 25(14) 16754-16760 (2017)
  7. Крыжановская Н.В., Полубавкина Ю.С., Моисеев Э.И., Зубов Ф.И., Максимов М.В., Липовский А.А., Жуков А.Е., Кулагина М.М., Трошков С.И., Задиранов Ю.М., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Новиков А.В., Дубинов А.А., Красильник З.Ф. Микролазеры на основе дисковых резонаторов и квантоворазмерных гетероструктур для перспективных устройств нанофотоники. Электроника и микроэлектроника СВЧ, 2017, 1, 115-116.
  8. Дорохин М.В., Зайцев С.В., Рыков А.В,, Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Зубков В.И., Фролов Д., Яковлев Г.Е., Кудрин А.В. Гетероструктуры с квантовыми точками /, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции. Журнал технической физики, 2017, 87(10), с.1539-1544
  9. В.Я. Алешкин, Н.В. Байдусь, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, А.В. Новиков, А.В. Рыков, И.В. Самарцев, А.Г. Фефелов, Д.В. Юрасов, З.Ф. Красильник. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке. Физика и техника полупроводников, 2017, 51(11) 1530-1533
  10. Н.В. Байдусь, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, А.В. Рыков, А.А. Сушков, М.В. Шалеев, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов, А.Н. Яблонский, З.Ф. Красильник. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si. Физика и техника полупроводников, 2017, 51(11) 1579-1582
  11. М.В. Дорохин, М.В. Ведь, П.Б. Дёмина, А.В. Здоровейщев, А.В. Кудрин, А.В. Рыков, Ю.М. Кузнецов. Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt. Физика твердого тела, 2017, 59(11), с. 2135-2141
  12. Е.И. Малышева, М.В. Дорохин, П.Б. Дёмина, А.В. Здоровейщев, А.В. Рыков, М.В. Ведь, Ю.А. Данилов. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/δ<Mn>. Физика твердого тела, 2017, 59(11), с. 2142-2147
  13. Патент №2627192 от 03.08.2017 «Способ получения лазерного излучения с малой расходимостью и диодный лазер для его осуществления» (Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Рыков А.В.)

Участие в НИОКР

  • руководитель молодежного гранта РФФИ (мол_а) на тему "Эпитаксия арсенид галлиевых гетероструктур на подложках Si/Ge" (2018-2019).
  • выполнение прикладных работ по заказу ведущих промышленных предприятий РФ.
  • выполнение работ в рамках проектной части государственного задания ВУЗам со стороны Минобрнауки России, федеральных целевых программ Минобрнауки России.
  • выполнение работ по грантам РНФ и РФФИ.